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IRFI820GPBF中文资料

IRFI820GPBF图片

IRFI820GPBF外观图

  • 大小：1787KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
  • 数据列表：IRFI820G
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 1.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：360pF @ 25V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商设备封装：TO-220-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFI820GPBF

IRFI820GPBF供应商

更新时间:2023-01-10 15:35:55
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